Сергей Григорьевич Калашников — советский и российский физик, доктор физико-математических наук, профессор. Сергей Калашников родился 9 февраля 1906 года в г. Николаеве Херсонской области в семье адвоката. В 1930 г. он окончил Московский государственный университет и работал на физическом факультете МГУ более 30 лет последовательно ассистентом, доцентом, профессором и заведующим кафедрами общей физики (1948-1953 гг.) и физики полупроводников (1953-1961 гг.). С.Г. Калашников был выдающимся ученым, внесшим крупный вклад в различные области физики. В 30-40-ые годы им были проведены исследования дифракции медленных электронов на поверхности кристаллов и их рассеяния на тепловых колебаниях поверхности кристаллов. В 1940 г. он защитил докторскую диссертацию по теме "Исследование дифракции медленных электронов". Эти работы во многом определили развитие физики поверхности твердых тел. В то же время С.Г. Калашников провел ряд работ по исследованию электрической очистки газов и созданию электрофильтров в Институте Охраны Труда, имевших практическое применение. В 1944 г. С.Г. Калашников организовал лабораторию в радиотехническом институте (ЦНИИ-108), где директором был академик А.И. Берг. Одним из основных направлений работ этой лаборатории было изучение высокочастотных свойств p-n переходов в полупроводниках. Результаты этих работ объясняли частотные свойства германиевых и кремниевых диодов и позволили решить задачу создания диодов для работы в СВЧ диапазоне - детекторов для радиолокации. В 50-е годы он участвовал в работах по ядерной физике. В 1953 г. в МГУ была создана кафедра физики полупроводников. Ее организатором и первым заведующим был С.Г. Калашников. Одним из основных научных направлений кафедры было исследование влияния примесей и дефектов на электрические свойства германия и кремния и неравновесные процессы в них. Эти исследования были важны для получения германия и кремния с заданными свойствами - основных материалов полупроводниковой электроники. В 1961 г. С.Г. Калашников перешел на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР, где создал и возглавил отдел физики полупроводников и руководил им до последних дней жизни. Там в 60-70-ые годы проводились исследования электрической и акустоэлектрической неустойчивости, рекомбинационных волн и волн перезарядки ловушек, поглощения и усиления ультразвука. Практическая направленность этих исследований была связана с созданием новых усилителей и генераторов СВЧ колебаний, электроакустических преобразователей, линий задержки и внедрением их в промышленность. С.Г. Калашников был выдающимся педагогом и лектором. На его блестящие лекции и научный семинар кафедры физики полупроводников приезжали сотрудники многих институтов Москвы. По его учебникам, выдержавшим несколько изданий, учились и учатся многие поколения физиков. С.Г. Калашников вел большую научно-организационную работу: был зам. председателя Научного Совета АН СССР по физике и химии полупроводников, членом Научного Совета АН СССР по физической электронике, членом ред. коллегий ряда научных журналов. Он был удостоен Сталинской и Государственной Премий СССР, награжден Орденом Ленина, тремя орденами Трудового Красного Знамени и медалями, имел звание Заслуженного Деятеля науки и техники РСФСР.
